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在功率半導體封裝領域,隨著碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等寬禁帶材料的廣泛應用,對互連材料提出了更高的要求。FC-100U有壓燒結銅膏,作為一款國產(chǎn)高性能金屬互連材料,憑借其出色的界面結合性能、低孔隙率和優(yōu)異的可靠性,正成為高端應用的理想選擇。
FC-100U產(chǎn)品介紹
一、出色的界面結合性能:適配多種金屬層結構
FC-100U有壓燒結銅膏在3*3 mm SiC芯片上進行燒結界面測試,芯片表面分別采用鍍銀、鍍金和鍍銅三種金屬處理方式,測試結果顯示(圖2),無論是哪種金屬層結構,F(xiàn)C-100U均展現(xiàn)出優(yōu)異的剪切強度和界面結合力,確保芯片在高熱負載和機械應力下依然保持穩(wěn)定連接。
圖2. 不同燒結界面下FC-100U剪切強度對比
二、高效燒結工藝與低孔隙率優(yōu)勢:致密結構確保長期可靠性
FC-100U有壓燒結銅膏采用以下有壓燒結工藝流程:
FC-100U燒結工藝流程
在260°C、20 MPa壓力和氮氣氣氛下,僅需10分鐘即可完成燒結,燒結層孔隙率低至7%。高致密結構不僅確保了熱導性能,也為功率器件提供了堅固可靠的互連界面。
三、可靠性測試驗證:適應多種嚴苛工況
FC-100U有壓燒結銅膏通過多項國際標準的可靠性測試,展現(xiàn)出其在高溫、高濕和熱循環(huán)等極端條件下的穩(wěn)定性:
· 溫度循環(huán)測試(-55°C ~ +150°C,1000次循環(huán)):熱阻變化小于2%,界面性能保持穩(wěn)定;
· 高溫儲存測試(1000小時,150°C):剪切強度變化小于3%,無明顯性能劣化;
FC-100U在高溫儲存條件下的剪切強度變化
· 雙85測試(85°C/85% RH,1000小時):剪切強度變化小于11%,表現(xiàn)出極強的耐濕熱能力。
FC-100U在雙85高溫高濕條件下的剪切強度變化
四、環(huán)保材料體系:踐行綠色封裝理念
FC-100U有壓燒結銅膏采用符合國際環(huán)保標準的材料體系和制造工藝,不含鉛及有害物質(zhì),滿足RoHS等多項環(huán)保法規(guī)要求。其高熱導率與低熱阻特性有助于提高系統(tǒng)能效,降低功率損耗,推動功率模塊實現(xiàn)綠色節(jié)能目標,助力客戶打造可持續(xù)發(fā)展的電子制造體系。
五、總結:國產(chǎn)有壓燒結銅膏的技術突破與廣闊前景
FC-100U有壓燒結銅膏不僅在初始導熱性、結合強度及孔隙率方面表現(xiàn)優(yōu)異,更通過多項嚴苛環(huán)境測試驗證其長期穩(wěn)定性與可靠性,標志著國產(chǎn)有壓燒結銅膏在高功率半導體封裝領域邁出關鍵一步。憑借高性能、可批量化生產(chǎn)及環(huán)保優(yōu)勢,F(xiàn)C-100U具備廣闊的市場應用前景,有望在SiC、GaN等高端功率器件中實現(xiàn)更大規(guī)模推廣。